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窒化バナジウム(III)

窒化バナジウム(III)（ちっかバナジウム さん、vanadium(III) nitride）は、化学式が VN と表されるバナジウムの窒化物である。 窒化バナジウム(III) は耐摩耗性を高めるためにバナジウム鋼を窒化する過程で生じる。V2N もその過程で副生する。VN の結晶系は立方晶で、低温では

Palabras Relacionadas

塩化バナジウム(III)

塩化バナジウム(III)（えんかバナジウム さん、Vanadium(III) chloride）は、化学式が VCl3 と表されるバナジウムの塩化物である。紫色の結晶で、他のバナジウム(III)錯体の前駆体として用いられる。2個の不対電子を持つため常磁性である。 塩化バナジウム(III)の結晶構造は、ヨウ化ホウ素

フッ化バナジウム(III)

フッ化バナジウム(III)（フッかバナジウム さん、Vanadium(III) fluoride）は、化学式が VF3 と表されるバナジウムのフッ化物である。暗緑色の固体で、酸化バナジウム(III)から二段階の反応で得られる。一段階目は、酸化バナジウム(III)とフッ化水素アンモニウム

臭化バナジウム(III)

臭化バナジウム(III)（しゅうかバナジウム さん、Vanadium(III) bromide）は、化学式が VBr3 と表されるバナジウムの臭化物である。固相では、6個の臭素が1個のバナジウム上に八面体形で配位したポリマー状となっている。 VBr3 は、塩化バナジウム(IV) (VCl4) を臭化水素

ヨウ化バナジウム(III)

ヨウ化バナジウム(III)（ヨウかバナジウム さん、Vanadium(III) iodide）は、化学式が VI3 と表されるバナジウムのヨウ化物である。常磁性の固体で、バナジウム粉末とヨウ素を 500 ℃ 程度に加熱することにより得られる。吸湿性が高く、水に溶けると V(III) 化合物に特有の緑色のイオンが生じる。

炭化バナジウム

炭化バナジウム(Vanadium carbide)は、化学式VCの無機化合物である。非常に硬い物質である。モース硬度は、9から9.5で、既知の金属炭化物では最も硬いと考えられている。 酸化バナジウム(II)と同形で、岩塩構造に結晶化する。VCとVOは混和可能なため、VCのサンプルは、通常、不純物とし

窒化物

潤滑剤；窒化ホウ素 切削素材；窒化ケイ素 絶縁体；窒化ホウ素、窒化ケイ素 半導体；窒化ガリウム 金属塗装；窒化チタン 水素吸蔵；窒化リチウム このように多様な物質の分類法は必然的に恣意的となる。以下は構造で分類したものである。 水素の窒化物 - アンモニア、ヒドラジン、トリアザン イオン結晶 - 窒化リチウム、窒化ベリリウム

窒化鉄

窒化鉄（ちっかてつ、英: Iron nitride）は、鉄の窒化物。化学式はFe2N、Fe3N1+x、Fe4N、Fe7N3、Fe16N2で表される。 強磁性窒化鉄は、現在最強の磁石とされるネオジム-鉄-ボロン磁石の性能を凌駕する可能性のある物質で、1972年に東北大学の高橋實がその存在を提唱していた

窒化ナトリウム

窒化ナトリウム（ちっかナトリウム、英: Sodium nitride）は、化学式Na3Nで記される無機化合物。窒化ガリウムなど他の金属窒化物とは対照的に、非常に不安定である。 低温下で、サファイアの基板上でナトリウムと窒素に原子線を照射することにより得られる。 分解により、ナトリウムと窒素が生じる。

窒化リチウム

窒化リチウム（ちっかリチウム、lithium nitride）はリチウムの窒化物である。化学式は Li3N、CAS登録番号は [26134-62-3]。式量 34.82、融点 845 ℃、比重 1.28 (20 ℃) の暗赤色六方晶。 アルカリ金属の中ではリチウムだけが単体窒素と加熱時に反応する。 6

窒化ガリウム

報告されたが、寿命が短く製品化には至らなかった。また炭化ケイ素を使用する系もあったが、実用化には至らなかった。 1986年、天野浩がサファイア基板に緩衝層を導入し、GaNの単結晶薄膜を得ることに成功した。 1989年、赤崎勇と天野はMgドーピングと電子線照射によりp型の窒化ガリウムを得て、pn接合の

窒化イットリウム

窒化イットリウム (yttrium nitride, YN) はイットリウムの窒化物であり、窒化チタンや窒化ジルコニウムと同様に硬いセラッミクスである。 ランタン、スカンジウムおよびイットリウムの窒化物は半導体である。YNの結晶構造は窒化ガリウムと似ているので、GaNの結晶成長において基質とGaN層のバッファー層としてYNが使える。

窒化タンタル

他の導電性金属の間のバリアや「糊」の層、また熱酸化物等の誘電絶縁体フィルムの製造に使われることがある。これらのフィルムは、集積回路の製造の際に、薄膜抵抗器等として、シリコンウェハーの上に沈着される。 ^ Akashi, Teruhisa (2005年). “Fabrication of a Tantalum-Nitride

窒化アルミニウム

AlN）はアルミニウムの窒化物であり、無色透明のセラミックスである。アルミナイトライドともいう。 結晶構造はウルツ鉱構造（六方晶系）と閃亜鉛鉱構造（立方晶系）の2種類を取りうるが、前者がエネルギー的に安定である。ウルツ鉱構造の格子定数は、a軸が約 3.11 Å、c軸が約 4.98 Å である。 バンドギャップは約

窒化チタン

ほとんどの用途では、5マイクロメートル（0.00020インチ）未満のコーティングが施される。 窒化チタンは、ビッカース硬度2400、弾性率251GPa、熱膨張係数9.35×10−6 K−1、超伝導転移温度5.6Kという特性をもつ。 通常の大気中で800℃で酸化する。実験室での試験によ

窒化ニオブ

窒化ニオブ（ちっかにおぶ、Niobium nitride）はニオブの窒化物である。 超伝導転移温度は16K 。 量子コンピューティングの分野で、演算部分の素子は超伝導薄膜によるジョセフソン接合を持つが、このときの薄膜材料の一つとして注目を集めている。 [脚注の使い方] ^ K. S. Keskar, T. Yamashita and

窒化インジウム

窒化インジウム（ちっかインジウム、indium nitride）は、インジウムと窒素からなる化学式InNの半導体である。バンドギャップが小さく、太陽電池や高速エレクトロニクスに用いられる。InNのバンドギャップは、現在では温度に応じ〜0.7 eVであることが分かっている（かつては1.97

酸化バナジウム (II)

酸化バナジウム(II)（さんかバナジウム に、Vanadium(II) oxide）は化学式が VO と表される、多くあるバナジウムの酸化物の一つである。安定で、電気的に中性の化合物である。歪んだ塩化ナトリウム型構造で、弱い V–V 金属結合を持っている。VO は不定比化合物で組成は VO0.8 から

五酸化バナジウム

五酸化バナジウム（ごさんかバナジウム）は、5価バナジウムの酸化物である。五酸化二バナジウム、酸化バナジウム(V)とも呼ばれる。化学式はV2O5である。 VO5の四角錐ユニットが無限に配列したシート状構造をとる。 用途は鉄鋼添加の他、石油の脱硫、硫酸製造の過程で用いられる二酸化硫黄の酸化，酸化作用を利

フッ化バナジウム(IV)

フッ化バナジウム(IV)(Vanadium tetrafluoride)は、化学式VF4で表されるバナジウムとフッ素からなる無機化合物である。常磁性を持つ黄茶色の固体で、非常に吸湿性が高い。同類の塩化バナジウム(IV)(VCl4)とは異なり、この化合物は、重合構造を取るために揮発せず、融解の前に分解する。