Logo
ပင်မစာမျက်နှာ
သင်ခန်းစာများ
မှတ်စုစာအုပ်
အဘိဓာန်
JLPT Test
ဗီဒီယို
အဆင့်မြှင့်ရန်
အကြံပြုချက်
Logo
ပင်မစာမျက်နှာ
သင်ခန်းစာများ
မှတ်စုစာအုပ်
အဘိဓာန်
JLPT Test
ဗီဒီယို
အဆင့်မြှင့်ရန်
အကြံပြုချက်
Todaii Japanese
Switch language – current: my
Logo Japanese
[email protected]
(+84) 865 924 966
315 Truong Chinh, Ha Noi
www.todaiinews.com
DMCA.com Protection Status

Todaii Japanese အကြောင်း

အမှတ်တံဆိပ်ဇာတ်လမ်းမကြာခဏမေးလေ့ရှိသောမေးခွန်းများအသုံးပြုသူလမ်းညွှန်စည်းမျဉ်းနှင့် မူဝါဒငွေပြန်အမ်းအချက်အလက်

လူမှုကွန်ယက်

Logo facebookLogo instagram

အက်ပ်ဗားရှင်း

AppstoreGoogle play

အခြားအက်ပ်များ

Todaii German
Todaii English
Todaii Chinese
Todaii Korean
DMCA.com Protection Status

မူပိုင်ခွင့်သည် eUp Technology JSC ၏ပိုင်ဆိုင်မှုဖြစ်သည်

Copyright@2026

စကားဝှက်

စကားလုံးအသေးစိတ်

ヒ化インジウム

ヒ化インジウム(Indium arsenide)は、インジウムとヒ素からなる化学式InAsの半導体である。融点942℃の灰色の立方晶を形成する。 ヒ化インジウムは、波長が1-3.8 μmの赤外線検出器の製造に用いられる。この検出器は、太陽光発電のフォトダイオードである。極低温に冷やした検出器のノイズ

ဆက်စပ်စကားလုံးများ

アンチモン化インジウム

1992年にSTS-47でスペースシャトル・エンデバー号で毛利衛がSpacelab-Jミッションで行 われた微小重力下での赤外線加熱浮遊帯域溶融法実験において単結晶の作成に成功した。 ^ InSb ( Indium Antimonide) ^ テラヘルツ電磁波光源 ^ 単結晶のはなし

リン化インジウム

単結晶成長には、LEC法、VCZ法、HB法、VGF法などが用いられるが、ヒ化ガリウムに比べると結晶の熱伝導率が低いため温度制御が難しく、また、積層欠陥エネルギーも小さいため、高品質な単結晶成長の育成は難しいとされている。 安全面では、インジウム燐の化合物としての健康有害性については、必ずしも明確

窒化インジウム

窒化インジウム（ちっかインジウム、indium nitride）は、インジウムと窒素からなる化学式InNの半導体である。バンドギャップが小さく、太陽電池や高速エレクトロニクスに用いられる。InNのバンドギャップは、現在では温度に応じ〜0.7 eVであることが分かっている（かつては1.97

ヒ化ガリウム

ヒ化ガリウム（ヒかガリウム、英: gallium arsenide）はガリウムのヒ化物であり、組成式はGaAsである。化合物半導体であるため、その性質を利用して半導体素子の材料として多用されている。半導体分野ではガリウムヒ素（ガリウム砒素）や、さらにはそれを短縮したガリヒ素という呼称で呼ばれることも多い。

ヒ化物

ヒ化物（ヒかぶつ、英: arsenide）は、酸化数が-3のヒ素を含む化合物である。ただし、より広義に使われる場合がある。鉱物のスペリー鉱 (PtAs2) は「ヒ化白金」とも呼ばれるが、これは通常固相で Pt4+As24- の組成であるため、ヒ素の形式酸化数は-2である。孤立したヒ素中心をもつのでヒ化ガリウム

ヒ化カドミウム

ヒ化カドミウム（ヒかカドミウム、英: cadmium arsenide）は化学式 Cd3As2 で表される無機化合物。結晶構造は正方晶系で、エネルギーギャップ 0.14 eV の狭ギャップ半導体である。室温において電子移動度が非常に大きい、n型半導体の一種であり、アモルファス半導体材料として使用さ

ヒ化インジウムガリウム

ヒ化インジウムガリウムはガリウムのヒ化物であり、組成式はInGaAsである。化合物半導体であるため、その性質を利用して半導体素子の材料として多用されている。半導体分野ではインジウム・ガリウム・ヒ素という呼称で呼ばれることも多い。 一般的な半導体材料であるシリコンよりも電子移動度が高いので高周波デバイ

酸化インジウム(III)

酸化スズ(IV)と組み合わせて、透明導電体の酸化インジウムスズ(ITO)として用いられる。 半導体においては、n型半導体として、集積回路の抵抗素子に用いられる。 組織学においては、染色に用いられる。 インジウム 酸化インジウムスズ 磁性半導体 ^ a b Marezio

水素化インジウム

1021/cr960151d. PMID 11840988.  ^ Hunt, P.; Schwerdtfeger, P. (1996). “Are the Compounds InH3 and TlH3 Stable Gas Phase or Solid State Species?”. Inorganic Chemistry

セレン化インジウム(III)

セレン化インジウム(III)(Indium(III) selenide)は、インジウムとセレンからなる化合物である。光起電力効果を用いたデバイスに利用できる可能性があり、研究が行われている。最も一般的なα相とβ相は、層状構造である。一方、γ相は「格子欠陥を含むウルツ鉱構造」である。α、β、γ、δ及び

塩化インジウム(III)

Anthony John Downs (1993). Chemistry of aluminium, gallium, indium, and thallium. Springer. ISBN 0-7514-0103-X  ^ Main Group Metals in Organic Synthesis

インジウム

〖indium〗 ホウ素族元素の一。 元素記号 In 原子番号四九。 原子量一一四・八。 銀白色の軟らかい金属。 半導体材料として重要。

インジウム111

n)）にサイクロトロンで陽子を照射して製造される。前者の方法は放射性核種の純度が高い為、より一般的に用いられている。 インジウム111は、分子や細胞を放射性標識することにより、放射線医学による画像診断によく用いられる。インジウム111は、放射性崩壊の際に低エネルギーのガンマ（γ）線を放出し、平面または単一

三フッ化ヒ素

三フッ化ヒ素（さんフッかヒそ、英: arsenic trifluoride）はヒ素のフッ化物で、化学式AsF3で表される無機化合物。無色の液体で、水と容易に反応する。半導体の製造などに使われる。 フッ化水素と三酸化二ヒ素の反応により生成される。 6 HF   + As 2 O 3 ⟶ 2 AsF 3

三塩化ヒ素

161Åの長さで、Cl-As-Clの角は98°25'±30である。三塩化ヒ素は、ν1(A1) 416、ν2(A1) 192、ν3 393、ν4(E) 152 cm-1の4つの通常振動モードを持つ。三塩化ヒ素はほぼ共有結合であり、そのため融点は低い。 三塩化ヒ素は、三酸化二ヒ素を塩化水素で処理し、その後蒸留することによって製造される。

五フッ化ヒ素

五フッ化ヒ素（ごフッかヒそ、英: arsenic pentafluoride）は化学式AsF5で表される無機化合物。ヒ素のフッ化物であり、ヒ素の酸化数は5。 ヒ素とフッ素との直接反応および三フッ化ヒ素にフッ素を加えて生成する。 2 As   + 5 F 2 ⟶ 2 AsF 5 {\displaystyle

五酸化二ヒ素

五酸化二ヒ素（ごさんかにひそ、英: diarsenic pentoxide）は、化学式 As2O5 で表されるヒ素の酸化物である。ヒ素の化合物として産業上重要である。三酸化二ヒ素などの他のヒ素化合物と同様、強い毒性を持つ。 殺虫剤、除草剤、殺菌剤、木材防腐剤、金属接着剤、印刷や染色など幅広く用いられる。。

ヒ素の生化学

は、米や綿花の耕作に用いられる防カビ剤（商品名：Neoasozin）の前駆体である。4-ヒドロキシ-3-ニトロベンゼンアルソン酸 (3-NHPAA, Roxarsone)、ウレイドフェニルアルソン酸 (ureidophenylarsonic acid)、p-アルサニル酸 (p-arsanilic acid)

三酸化二ヒ素

三酸化二ヒ素（さんさんかにヒそ）、または三酸化ヒ素は化学式 As2O3 で表されるヒ素の酸化物である。 人工的に生産されるが、天然においても方砒素華（Arsenolite　方砒素石、砒霜、砒華とも）、クロード石（Claudetite 方砒素華の同質異像）として少量産出する。方砒素華は、自然砒、鶏冠石