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單字詳情

インジウム

[インジウム]
〖indium〗
ホウ素族元素の一。 元素記号 In 原子番号四九。 原子量一一四・八。 銀白色の軟らかい金属。 半導体材料として重要。

相關單字

インジウムの同位体

インジウム（In） 標準原子量: 114.818(3) u Isotope masses from Ame2003 Atomic Mass Evaluation by G. Audi, A.H. Wapstra, C. Thibault, J. Blachot and O. Bersillon in

インジウム111

n)）にサイクロトロンで陽子を照射して製造される。前者の方法は放射性核種の純度が高い為、より一般的に用いられている。 インジウム111は、分子や細胞を放射性標識することにより、放射線医学による画像診断によく用いられる。インジウム111は、放射性崩壊の際に低エネルギーのガンマ（γ）線を放出し、平面または単一

アンチモン化インジウム

1992年にSTS-47でスペースシャトル・エンデバー号で毛利衛がSpacelab-Jミッションで行 われた微小重力下での赤外線加熱浮遊帯域溶融法実験において単結晶の作成に成功した。 ^ InSb ( Indium Antimonide) ^ テラヘルツ電磁波光源 ^ 単結晶のはなし

リン化インジウム

単結晶成長には、LEC法、VCZ法、HB法、VGF法などが用いられるが、ヒ化ガリウムに比べると結晶の熱伝導率が低いため温度制御が難しく、また、積層欠陥エネルギーも小さいため、高品質な単結晶成長の育成は難しいとされている。 安全面では、インジウム燐の化合物としての健康有害性については、必ずしも明確

窒化インジウム

窒化インジウム（ちっかインジウム、indium nitride）は、インジウムと窒素からなる化学式InNの半導体である。バンドギャップが小さく、太陽電池や高速エレクトロニクスに用いられる。InNのバンドギャップは、現在では温度に応じ〜0.7 eVであることが分かっている（かつては1.97

ヒ化インジウム

ヒ化インジウム(Indium arsenide)は、インジウムとヒ素からなる化学式InAsの半導体である。融点942℃の灰色の立方晶を形成する。 ヒ化インジウムは、波長が1-3.8 μmの赤外線検出器の製造に用いられる。この検出器は、太陽光発電のフォトダイオードである。極低温に冷やした検出器のノイズ

酸化インジウム(III)

酸化スズ(IV)と組み合わせて、透明導電体の酸化インジウムスズ(ITO)として用いられる。 半導体においては、n型半導体として、集積回路の抵抗素子に用いられる。 組織学においては、染色に用いられる。 インジウム 酸化インジウムスズ 磁性半導体 ^ a b Marezio

水素化インジウム

1021/cr960151d. PMID 11840988.  ^ Hunt, P.; Schwerdtfeger, P. (1996). “Are the Compounds InH3 and TlH3 Stable Gas Phase or Solid State Species?”. Inorganic Chemistry

セレン化インジウム(III)

セレン化インジウム(III)(Indium(III) selenide)は、インジウムとセレンからなる化合物である。光起電力効果を用いたデバイスに利用できる可能性があり、研究が行われている。最も一般的なα相とβ相は、層状構造である。一方、γ相は「格子欠陥を含むウルツ鉱構造」である。α、β、γ、δ及び

塩化インジウム(III)

Anthony John Downs (1993). Chemistry of aluminium, gallium, indium, and thallium. Springer. ISBN 0-7514-0103-X  ^ Main Group Metals in Organic Synthesis

酸化インジウムスズ

酸化インジウムスズ（さんかインジウムスズ、英: Indium Tin Oxide、ITO）は酸化インジウム(III) (In2O3) と酸化スズ(IV) (SnO2) の無機混合物である。粉末は黄色～灰色であるが、可視光領域の透過率が高いため、薄膜ではほぼ無色透明であり、主に透明電極として用いられる。