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單字詳情

ガリウム

[ガリウム]
〖gallium〗
ホウ素族元素の一。 元素記号 Ga　原子番号三一。 原子量六九・七二。 青白色の軟らかい固体金属。 融点は摂氏二九・七八度で水銀， セシウムに次いで低く， 高温用温度計に利用。 半導体材料として重要。

相關單字

ヨウ化ガリウム(III)

ヨウ化ガリウム(III)（ヨウかガリウム、gallium(III) iodide）は化学式が Ga2I6 と表される、最も一般的なガリウムのヨウ化物である。化学輸送法でヒ化ガリウムの純粋な結晶を得るときにヨウ素が輸送媒体として用いられるが、このとき可逆的に GaI3 が生じている。 ヨウ化ガリウム

ヒ化インジウムガリウム

ヒ化インジウムガリウムはガリウムのヒ化物であり、組成式はInGaAsである。化合物半導体であるため、その性質を利用して半導体素子の材料として多用されている。半導体分野ではインジウム・ガリウム・ヒ素という呼称で呼ばれることも多い。 一般的な半導体材料であるシリコンよりも電子移動度が高いので高周波デバイ

鉄ガリウム

の感度の向上をもたらすため、ガルフェノールはソナー研究者の興味を引く材料である。ガルフェノールは、振動エネルギー発電、精密工作機械向けのアクチュエータ、アクティブ防振システム、ふるいやスプレーノゾル向けの目詰まり防止装置での利用も提案されている。ガルフェノールは機械加工が可能であり、シート状やワイヤー状で生産することができる。

GOES 15

他のGOES衛星の故障に備えて待機している。 打ち上げ時の重量は3,238キログラム (7,139 lb)だった。設計寿命は10年で電力は1枚のガリウム砒素太陽電池から2.3kWが供給される。A24セルのニッケル水素蓄電池が搭載されており、食に入る時間帯の電力の供給に使用される。

XM (人工衛星)

レイが、衛星本体から南北各々の方向に展開される。各々の太陽電池アレイは、1翼当たり5枚の太陽電池パネルから組み立てられている。パネルは、高効率の砒化ガリウム化合物半導体で作られた太陽電池セルから成る。また太陽電池アレイの両側には、太陽電池に当たる太陽光線を増強して太陽電池の発電効率を上げる為に、反射

ヒ化ガリウム

ヒ化ガリウム（ヒかガリウム、英: gallium arsenide）はガリウムのヒ化物であり、組成式はGaAsである。化合物半導体であるため、その性質を利用して半導体素子の材料として多用されている。半導体分野ではガリウムヒ素（ガリウム砒素）や、さらにはそれを短縮したガリヒ素という呼称で呼ばれることも多い。

リン酸ガリウム

ムやリンで置き換わったことによって石英の2倍の圧電効果を有する。この石英に勝る圧電効果によって技術的応用に多くの利点を有しており、水晶振動子の電気機械結合係数(en:Electromechanical coupling coefficient)を高める等の用途に用いられる。石英と違いリン酸ガリウムは自然から産出しない。

窒化ガリウム

報告されたが、寿命が短く製品化には至らなかった。また炭化ケイ素を使用する系もあったが、実用化には至らなかった。 1986年、天野浩がサファイア基板に緩衝層を導入し、GaNの単結晶薄膜を得ることに成功した。 1989年、赤崎勇と天野はMgドーピングと電子線照射によりp型の窒化ガリウムを得て、pn接合の

リン化ガリウム

リン化ガリウムは、光学材料としても利用され、波長840 nm (IR)で 3.19、550 nm（緑）で 3.45、262 nm (UV) で4.30の屈折率を持つ。 1960年代から、低〜中輝度の赤・オレンジ・緑発光ダイオード（LED）の低コスト製造に使用されている。単体もしくはGaAsPと組み合わせて製造される。

アンチモン化ガリウム

SbのIII-V族化合物半導体である。ガリウムアンチモンとも呼ばれる。格子定数は約0.61 nmである。 金属間化合物GaSbは、1926年に不活性ガス雰囲気下で直接元素を結合させたスイスの鉱物学者ヴィクトール・モーリッツ・ゴルトシュミットによって初めて生み出され、後に改定されるが格子定数を報告され

酸化ガリウム(III)

(TEM)、エネルギー分散型X線分析 (EDS)などが用いられる。これらの分析結果より反応物は灰色の綿状構造であることが示された。SEMによって反応物がワイヤー状構造およびシート状構造であることを示し、TEM写真は酸化ガリウム(III)がリボン状構造であることが確認された。酸化ガリウム(III)のナノリボンおよびナノシー

塩化ガリウム(III)

塩化ガリウム(III)(Gallium trichloride)は、化学式GaCl3の化合物である。固体のGaCl3は、化学式Ga2Cl6の二量体として存在する。無色で、金属ハロゲン化物としては珍しくアルカンも含め理想的には全ての溶媒に可溶である。ガリウムを含む大部分の誘導体の前駆体や有機合成の試薬となる。

フッ化ガリウム(III)

Anthony John Downs, (1993), Chemistry of Aluminium, Gallium, Indium, and Thallium, Springer, ISBN 978-0-7514-0103-5 Barrière, A.S.; Couturier, G.; Gevers

水酸化ガリウム(III)

− {\displaystyle {\ce {{Ga(OH)3}+ OH^- = [Ga(OH)4]^-}}} 水酸化アルミニウムより酸性が強い両性物質である。水酸化アンモニウムにも可溶。 加熱により水を失い、酸化ガリウム(III)となる。 2 Ga ( OH ) 3 → Δ Ga 2 O 3