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單字詳情

窒化タンタル

他の導電性金属の間のバリアや「糊」の層、また熱酸化物等の誘電絶縁体フィルムの製造に使われることがある。これらのフィルムは、集積回路の製造の際に、薄膜抵抗器等として、シリコンウェハーの上に沈着される。 ^ Akashi, Teruhisa (2005年). “Fabrication of a Tantalum-Nitride

相關單字

臭化タンタル(V)

ドで結ばれ、辺を共有した八面体が2つ繋がった構造をしている。ニオブおよびタンタルの五塩化物および五ヨウ化物も、同じ構造を持つ。 この物質は、通常、管状炉中で高温で、臭素と金属タンタルまたは炭化タンタルの反応によって合成される。早期遷移金属の臭化物は液体であり、気体である塩化物よりも扱い易いことから

五酸化タンタル

タンタルとニオブのフッ化水素は、シクロヘキサンやメチルイソブチルケトンなどの有機溶媒を使用した液液抽出により水溶液から取り除かれる。この段階では水相にフッ化物の形で残っているさまざまな金属不純物（鉄やマンガンなど）を簡単に取り除くことができる。タンタルとニオブの分離はpH調整により行われる。ニオブが有機相

タンタル

〖(ドイツ) Tantal〗 バナジウム族に属する遷移元素の一。 元素記号 Ta 原子番号七三。 原子量一八〇・九。 灰黒色の固体金属。 きわめて耐酸性強く， 高温でも強度が強い。 工業用耐酸材料・電子管材料などに用いられる。

窒化物

潤滑剤；窒化ホウ素 切削素材；窒化ケイ素 絶縁体；窒化ホウ素、窒化ケイ素 半導体；窒化ガリウム 金属塗装；窒化チタン 水素吸蔵；窒化リチウム このように多様な物質の分類法は必然的に恣意的となる。以下は構造で分類したものである。 水素の窒化物 - アンモニア、ヒドラジン、トリアザン イオン結晶 - 窒化リチウム、窒化ベリリウム

窒化鉄

窒化鉄（ちっかてつ、英: Iron nitride）は、鉄の窒化物。化学式はFe2N、Fe3N1+x、Fe4N、Fe7N3、Fe16N2で表される。 強磁性窒化鉄は、現在最強の磁石とされるネオジム-鉄-ボロン磁石の性能を凌駕する可能性のある物質で、1972年に東北大学の高橋實がその存在を提唱していた

窒化ナトリウム

窒化ナトリウム（ちっかナトリウム、英: Sodium nitride）は、化学式Na3Nで記される無機化合物。窒化ガリウムなど他の金属窒化物とは対照的に、非常に不安定である。 低温下で、サファイアの基板上でナトリウムと窒素に原子線を照射することにより得られる。 分解により、ナトリウムと窒素が生じる。

窒化リチウム

窒化リチウム（ちっかリチウム、lithium nitride）はリチウムの窒化物である。化学式は Li3N、CAS登録番号は [26134-62-3]。式量 34.82、融点 845 ℃、比重 1.28 (20 ℃) の暗赤色六方晶。 アルカリ金属の中ではリチウムだけが単体窒素と加熱時に反応する。 6

窒化ガリウム

報告されたが、寿命が短く製品化には至らなかった。また炭化ケイ素を使用する系もあったが、実用化には至らなかった。 1986年、天野浩がサファイア基板に緩衝層を導入し、GaNの単結晶薄膜を得ることに成功した。 1989年、赤崎勇と天野はMgドーピングと電子線照射によりp型の窒化ガリウムを得て、pn接合の

窒化イットリウム

窒化イットリウム (yttrium nitride, YN) はイットリウムの窒化物であり、窒化チタンや窒化ジルコニウムと同様に硬いセラッミクスである。 ランタン、スカンジウムおよびイットリウムの窒化物は半導体である。YNの結晶構造は窒化ガリウムと似ているので、GaNの結晶成長において基質とGaN層のバッファー層としてYNが使える。

窒化アルミニウム

AlN）はアルミニウムの窒化物であり、無色透明のセラミックスである。アルミナイトライドともいう。 結晶構造はウルツ鉱構造（六方晶系）と閃亜鉛鉱構造（立方晶系）の2種類を取りうるが、前者がエネルギー的に安定である。ウルツ鉱構造の格子定数は、a軸が約 3.11 Å、c軸が約 4.98 Å である。 バンドギャップは約

窒化チタン

ほとんどの用途では、5マイクロメートル（0.00020インチ）未満のコーティングが施される。 窒化チタンは、ビッカース硬度2400、弾性率251GPa、熱膨張係数9.35×10−6 K−1、超伝導転移温度5.6Kという特性をもつ。 通常の大気中で800℃で酸化する。実験室での試験によ

窒化ニオブ

窒化ニオブ（ちっかにおぶ、Niobium nitride）はニオブの窒化物である。 超伝導転移温度は16K 。 量子コンピューティングの分野で、演算部分の素子は超伝導薄膜によるジョセフソン接合を持つが、このときの薄膜材料の一つとして注目を集めている。 [脚注の使い方] ^ K. S. Keskar, T. Yamashita and

窒化インジウム

窒化インジウム（ちっかインジウム、indium nitride）は、インジウムと窒素からなる化学式InNの半導体である。バンドギャップが小さく、太陽電池や高速エレクトロニクスに用いられる。InNのバンドギャップは、現在では温度に応じ〜0.7 eVであることが分かっている（かつては1.97

タンタル石

タンタル石はタピオライト（英語版）ともよく似ている。化学組成は近いが結晶構造は異なっており（同質異像）、タンタル石が斜方晶なのに対してタピオライトは正方晶である。こちらも鉄、マンガンを含むものは鉄タピオライト、マンガンタピオライトと呼ぶ。現在では、鉄タンタル石とされるものの多くは鉄タピオライトで、鉄タンタル石自体は希少だとされる。

窒化処理

窒化処理（ちっかしょり、nitridization、nitriding）とは、広義には金属に窒素を浸み込ませるプロセス全般を指し、狭義には鉄鋼材料、チタン合金への表面硬化処理を指す。 窒化には様々な用途、処理方法が存在するが、単に「窒化」と言う場合は鉄鋼やチタン合金を高温下の窒化雰囲気に暴露して、金属表面を硬化させるプロセスを指す。

窒化亜鉛

窒化亜鉛は水と激しく反応し、酸化亜鉛とアンモニアを生じる。 Zn 3 N 2   + 3 H 2 O ⟶ 3 ZnO   + 2 NH 3 {\displaystyle {\ce {Zn3N2\ + 3H2O -> 3ZnO\ + 2NH3}}} 塩酸に可溶で、リチウムとは電気化学的・可逆的に反応

窒化ケイ素

焼結性が悪いことから、常圧焼結で緻密な焼結体の製造が困難である。そのため、焼結助剤を添加した上でガス圧焼結炉で焼結することで焼結体の製造を行われるのがほとんどである。大半の窒化ケイ素セラミックスは、α-窒化ケイ素を原料として製造されている。焼結

窒化バナジウム(III)

窒化バナジウム(III)（ちっかバナジウム さん、vanadium(III) nitride）は、化学式が VN と表されるバナジウムの窒化物である。 窒化バナジウム(III) は耐摩耗性を高めるためにバナジウム鋼を窒化する過程で生じる。V2N もその過程で副生する。VN の結晶系は立方晶で、低温では

硫化窒素

ニトロシル (NO)2S2O7 を生じる。 ヘプタンまたはメタノール溶液中での紫外吸収スペクトルは 260 nm に吸収極大を持つ。 過酸化物や硝酸塩、塩素酸塩などの酸化剤と混合したものは雷管に装填するのに使われたことがある。 化学式 S=N-S+=N−。四硫化四窒素を真空中で 300