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단어 상세정보

導体

[どうたい]
熱や電気をよく伝える物体。 普通には金属。
⇔ 不導体

관련 단어

不導体

熱または電気を非常に伝えにくい物体。 絶縁体。 不良導体。 ⇔ 導体

誘導体

母体の構造や性質を大幅に変えない程度の改変がなされた化合物のこと。その改変は実際の化学反応として行えることもあるが、机上のものでも構わない。 例えば、クロロベンゼンはベンゼンのクロロ誘導体、チオフェノールはフェノールのチオ誘導体と表現される。 反応中間体 同族体 異性体 類縁体 前駆体 表示 編集

半導体

半導体の特徴は、固体のバンド理論によって説明される。 なお、バンド理論を用いれば、半導体とは、価電子帯を埋める電子の状態は完全に詰まっているものの、禁制帯を挟んで、伝導帯を埋める電子の状態は存在しない物質として定義される。 一般的に、抵抗は電流と電圧に関して比例的な関係を満たす、すなわちオームの法則

半導体カーブトレーサー

ブレークダウン電圧、などのパラメータ測定ができる。ダイアックのようにトリガーできる素子の場合は、順方向・逆方向のトリガー電圧が明確に表示される。トンネルダイオードのように負性抵抗を持つ素子がもつ非連続的な特性も表示される。 主掃引ターミナル出力は、数千ボルトまでの印加が可能であり、また低電圧時には

完全導体

完全導体（かんぜんどうたい、英: perfect conductor）とは、電気抵抗がゼロの物質のこと。同じく電気抵抗がゼロの物質に超伝導体があるが、超伝導体は電気抵抗がゼロのほかに、マイスナー効果、磁束の量子化、ジョセフソン効果、ピン止め効果などのすべての現象を起こす。電気抵抗ゼロのみの物質が完

半導体メモリ

数百から数千回程度の消去と再書込みが可能 UV-EPROM : 中央に空いた窓からチップに紫外線を照射することで消去する。消去後は再書き込み可能。紫外線を照射する消去装置や書き込み装置が必要 E-EPROM : 電気的に消去と書き込みが可能なもの。過去の製品では、消去・書き込み

スピンギャップレス半導体

スピンギャップレス半導体（スピンギャップレスはんどうたい）は、磁性体である量子物質の一種。上下のスピンバンドが交換分裂しており、そのそれぞれの電子構造がエネルギーギャップを有している。スピンギャップレス半導体の磁気特性や磁気変調特性は電場によって操作することが可能である。代表例としてマンガン・コバル

EDA (半導体)

に代わって言語記述で設計する手法が始まった。1980年代後半には、そのHDLから論理回路（ネットリスト）を自動生成するシステムが実用化された。この技術は論理合成と呼ばれ、シノプシスにより製品化された。 それぞれのツールの性能向上が続くなかで、半導体製造工程の微細化による様々な問題を解決するためのツ

半導体レーザー

光が漏れにくい構造になっている。また、クラッド層の外部にはストライプ状の電極が備わっており、電界が加わる領域を細く限定している。ストライプ電極から5V程度の電圧が印加されることで電子がクラッド層を経由して活性層内を流れると、途中の原子は励起され自然放射によって最初の光子が放たれる。光子が周囲に放射

半導体リレー

半導体リレー（はんどうたいリレー、英: solid-state relay, 略称：SSR）は、継電器（リレー）と同じ機能を半導体によって作った電気・電子素子である。半導体リレーには、photo-coupled SSR、transformer-coupled SSR、hybrid SSR という種類がある。

アモルファス半導体

アモルファス半導体（アモルファスはんどうたい、amorphous semiconductor）とは、非晶質状態の半導体である。非晶質半導体 (non‐crystalline semiconductor) とも言う。結晶状態の半導体とは種々の物性が大きく異なるのを利用して、受光素子などへの応用が行われている。

ペロブスカイト半導体

ペロブスカイト半導体（ペロブスカイトはんどうたい）とは、ペロブスカイト構造(有機-無機複合層状ペロブスカイト化合物)を有する半導体で太陽電池や半導体レーザー等の次世代光半導体素子として期待される。 ヨウ化スズを無機骨格とし、有機カチオンと組み合わせた層状化合物は、電子構造（バンドギャップやバンド幅）

電気伝導体

106S/m）と同等以上のものが導体、106S/m以下のものを絶縁体（不導体）、その中間の値をとるものを半導体と分類する。[要出典]106S/mという電気伝導率は、1mm2の断面積で1mの導体の抵抗が1Ωになる電気の通りやすさである。 最も典型的な導体は金属である。銅やアルミニウムといった金属導体

超イオン伝導体

超イオン伝導体（ちょうイオンでんどうたい、superionic conductor）または高イオン伝導体（こう—）はイオン結合性の高い化合物のうち、その化合物の融点より十分低い温度領域で高いイオン伝導率（イオン伝導度）を持つもの指す。この場合のイオン伝導率はおよそ 10−3 Ω−1・cm−1

半導体産業

パッケージングを行わないようにする。また、パッケージ後の出荷前の検査としてバーンイン（Burn-in）装置があり、これは高温槽を主体とするバーンイン装置本体とその中のバーンイン基板、そしてバーンイン基板上に検査対象の半導体パッケージ

N型半導体

n型半導体（エヌがたはんどうたい）とは、電荷を運ぶキャリアとして自由電子が使われる半導体である。負の電荷を持つ自由電子がキャリアとして移動することで電流が生じる。つまり、多数キャリアが電子となる半導体である。 例えば、シリコンなど4価元素の真性半導体に、微量の5価元素(リン、ヒ素など)を不純物とし

半導体素子

半導体素子では、動作するためには少数キャリア(minority carrier)N型半導体では正孔、P型半導体では電子が必要である。 半導体素子には、トランジスタ、ダイオード（整流器）、発光ダイオード (LED) 等がある。こういった単体の半導体素子は「ディスクリート半導体」（個別半導体

P型半導体

価元素(ホウ素、アルミニウムなど)を添加することでつくられる。不純物半導体に含まれる。 p型半導体をつくる為の添加物をアクセプタといい、この添加物によって形成された準位をアクセプタ準位と呼ぶ。 正（英: positive）の電荷を持つ正孔が多数キャリアであることから、英語の頭文字をとってp型半導体と呼ばれる。

半導体工学

チョクラルスキー法 ゾーンメルト法 拡散（熱拡散）・酸化（熱酸化） 蒸着 スパッタリング スピンコート CVD（化学気相成長法） PVD（物理気相成長法） MBE（分子線エピタキシー法） エピタキシャル成長 イオン注入 フォトリソグラフィ（パターニング） エッチング FIB（focused ion beam） CMP（化学機械研磨）