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단어 상세정보

磁気抵抗メモリ

磁気抵抗メモリ（じきていこうメモリ、英: Magnetoresistive Random Access Memory、MRAM、エムラム）は、磁気トンネル接合（Magnetic tunnel junction、MTJ）を構成要素とする不揮発性メモリである。SRAMやDRAMなどの電荷を情報記憶に用い

관련 단어

磁気抵抗

resistance）に対応するもの（アナロジー）である。 リラクタンス（reluctance）と呼ばれることも多いが、学術用語集（物理学編・計測工学編・地震学編）では「磁気抵抗」となっている。 まぎらわしいが、磁気抵抗効果（magnetoresistance）とはまったく別のものである。 リラクタンス

磁気抵抗効果

磁気抵抗効果（じきていこうこうか、magnetoresistance）とは、外部磁場によって電気抵抗が変化する現象である。まぎらわしいが、磁気抵抗（magnetic resistance）とはまったく異なる現象である。 この現象は、1856年にウィリアム・トムソンによって最初に発見された。この効果

トンネル磁気抵抗効果

トンネル磁気抵抗効果（とんねるじきていこうこうか・英: Tunnel Magneto Resistance Effect）とは、磁気トンネル接合(MTJ)素子において絶縁体を挟んでいる二層の強磁性体の磁化の向きによって電気抵抗が変化する現象であり、TMR効果とも呼ばれる。

抵抗変化型メモリ

電気抵抗の変化率が数十倍にものぼり、多値化も容易 読み出し時間が10ナノ秒程度と、DRAM並に高速 といったデバイスとしての利点がある。 電界誘起巨大抵抗変化には、金属酸化物と電極の界面での抵抗変化と、金属酸化物中での電導経路の抵抗変化

電気抵抗

を表す。コンダクタンスのSIにおける単位はジーメンス（記号: S）である。 超伝導体以外の全ての物質は、電流を流した時に熱が発生し、電気エネルギーの一部が失われる。これは、非常に電気を流しやすい金属であっても例外ではない。導線の電気抵抗は、太いほど小さくなり、長いほど大きくなる。材質の違いも電気

巨大磁気抵抗効果

巨大磁気抵抗効果（GMR:Giant Magneto Resistive effect）とは、磁気抵抗効果の特殊事例である。 普通の金属の磁気抵抗効果（物質の電気抵抗率が磁場により変化する現象）は数%だが、1nm程度の強磁性薄膜（F層）と非強磁性薄膜（NF層）を重ねた多層膜には数十%以上の磁気抵抗

磁気抵抗効果素子

小型軽量 他の磁気センサに対する短所 フラックス・ゲートセンサよりも低感度 ハードディスクドライブのヘッド、現在ではTMRヘッドが主流 磁気インクで印刷された文字の読み取り 紙幣の鑑別等 地磁気の検出 計測工学 制御工学 電磁気学 磁性体 物性物理学 ホール素子 フラックス・ゲートセンサ 磁気インピーダンス素子（MI素子）

抗抵

手向かうこと。 抵抗。 「敵するものには～すれども/舞姫（鴎外）」

抵抗

(1)外から加えられる力に逆らったり， 張り合ったりすること。 手向かうこと。 さからうこと。 「～すると撃つぞ」「官軍に～する」 (2)そのまま素直には受け入れがたい感じ。 反発したい感じ。 抵抗感。 「そういう言い方には～がある」 (3)運動する物体に対し， 運動と反対の方向に作用する力。 抗力。 「空気の～を少なくする」「摩擦～」 (4)「電気(デンキ)抵抗」の略。

電気抵抗率

電気抵抗率（でんきていこうりつ、英語：electrical resistivity）は、どんな材料が電気を通しにくいかを比較するために、用いられる物性値である。単に、抵抗率（resistivity）、比抵抗（specific electrical resistance）とも呼ばれる。単位は、オームメートル（Ω･m）である。慣例的に

抵抗器

である。一般的には誤差と称される。 抵抗温度係数 抵抗器の温度変化に対する抵抗値変化の割合。単位は ppm/℃ である。 抵抗器はその形状や機能、構造によって幾つかの種類が存在する。 現在、電子機器で使用される小型抵抗器の大部分は、リード線（金属製の脚）を持たない表面実装（表面実装技術）パッケージ（チップ抵抗

抵抗力

ウィキペディアには「抵抗力」という見出しの百科事典記事はありません（タイトルに「抵抗力」を含むページの一覧/「抵抗力」で始まるページの一覧）。 代わりにウィクショナリーのページ「抵抗力」が役に立つかもしれません。wikt:Special:Search/抵抗力

熱抵抗

熱抵抗には大きく分けると二つ存在する。 バルク熱抵抗 一般的に熱抵抗と呼ばれる、均質な物体内部の熱抵抗をバルク熱抵抗と呼ぶ。一切の界面を含まない系であるため、コンポジットされている複合体の熱抵抗は、真の意味でのバルク熱抵抗ではないが、均質と見做せる系においてバルク熱抵抗と考える場合が多い。 界面熱抵抗

プルアップ抵抗

る。その対策として、プルアップやプルダウンが必要となる。 プルアップ抵抗は、ある信号線と High に相当する電圧レベル（普通は電源）との間に挿入され、その配線への入力が「浮いている」ときに強制的に High 状態にする。その抵抗値は、Low 信号入力を阻害しないためにある程度大きい必要がある。

抵抗権

抵抗権（ていこうけん、英: Right of Resistance）とは、人民により信託された政府による権力の不当な行使に対して人民が抵抗する権利。革命権（英: Right of Revolution）、反抗権（英: Right of Rebellion）とも言われる。

シート抵抗

シート抵抗 (シートていこう、英語: sheet resistance, sheet resistivity) とは、一様の厚さを持つ薄い膜やフィルム状物質の電気抵抗を表す量のひとつ。表面抵抗率、面抵抗率とも呼ばれる。 一般に三次元の導電性を表す場合、抵抗は次の式で表される。 R = ρ L A =

磁気

鉄片を引き付けたり， 南北を指したりする， 磁石のもつ作用・性質。 正確には， 磁荷は存在せず， 運動する電荷が磁場を形成し， また逆に磁場が運動する電荷に力を及ぼすことによって磁気現象が起こる。

合成抵抗

合成抵抗（ごうせいていこう）とは、電気回路において、回路上の複数の抵抗を、同等の単一の抵抗にまとめたときの電気抵抗のこと。 直列に接続されている抵抗は、以下の公式を用いて合成することができる。 R = R 1 + R 2 + R 3 + {\displaystyle R=R_{1}+R_{2}+R_{3}+}

絶縁抵抗

絶縁抵抗（ぜつえんていこう）とは、電流が流れる電路における電路相互間及び電路と大地との間の絶縁性（電流が漏れない性能）のこと。 単位はΩ（オーム）であるが、一般的にはその100万オームの単位 MΩ（メガオーム）が用いられる。 絶縁抵抗が低くなると漏電を生じ、感電や火災等の原因となる。絶縁抵抗の測定は、電気保安の基本となっている。