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단어 상세정보

誘電正接

誘電正接（ゆうでんせいせつ、dissipation factorあるいはLoss tangent）とは、誘電体内での電気エネルギー損失の度合いを表す数値である。 その定義から「タンジェント・デルタ」、あるいは略して「タンデルタ」「タンデル」と呼ぶこともある。 コンデンサ内で

관련 단어

正接

⇒ タンジェント

誘電率

誘電率（ゆうでんりつ、英語: permittivity）は物質内で電荷とそれによって与えられる力との関係を示す係数である。電媒定数ともいう。各物質は固有の誘電率をもち、この値は外部から電場を与えたとき物質中の原子（あるいは分子）がどのように応答するか（誘電分極の仕方）によって定まる。 電束密度を D、電場の強度を

誘電損

誘電損（ゆうでんそん、dielectric loss）は、電熱の一種で交流電界を誘電体に加えた際に、その交流電界より位相が遅れて分極が起こるために発生する熱エネルギー。 ^ Maxwell’s Equations (PDF) エネルギー 電熱 誘電体 誘電正接

誘電体

誘電率を有することは光学材料として極めて重要であり、光ファイバー、レンズの光学コーティング､非線形光学素子などに用いられている。 誘電分極 を参照 誘電率は電界の周波数に依存する。これを誘電分散と呼ぶ。 空間電荷分極と配向分極は緩和型、イオン分極と電子分極は共鳴型の誘電分散を示す。 誘電緩和とは、物質の誘電率の瞬間的な遅れのこと。

誘導電流

二次巻線が閉回路であれば二次巻線に誘導電流が流れる。これを二次電流という。 二次電流による起磁力を打ち消すよう、一次巻線には補償電流が流れる。 励磁電流と補償電流の合成電流を一次電流という。 二次電流は巻数比と一次巻線の補償電流の積になる。 誘導電動機では、固定子巻線を一次巻線、回転子巻線を二次巻線と考える。

電磁誘導

電磁誘導（でんじゆうどう、英語: electromagnetic induction）とは、磁束が変動する環境下に存在する導体に電位差が生じる現象である。また、このとき発生した電流を誘導電流という。 一般には、マイケル・ファラデーによって1831年に誘導現象が発見されたとされるが、先にジョセフ・ヘ

比誘電率

比誘電率（ひゆうでんりつ、英語: relative permittivity）とは媒質の誘電率と真空の誘電率の比 ϵ r = ϵ ϵ 0 {\displaystyle \epsilon _{r}={\frac {\epsilon }{\epsilon _{0}}}} のことである。比誘電率は無次元量で

誘電分極

誘電分極（ゆうでんぶんきょく、dielectric polarization）とは、誘電体（絶縁体）に外部電場をかけたときに、その誘電体が電気的に分極する現象のこと。電気分極 (electric polarization) とも言われる。 電場によって微視的な電気双極子が整列することで引き起こされ

誘電加熱

heating)、無線周波数加熱 (radio frequency heating)、高周波加熱 (high-frequency heating) ともいい、マイクロ波を使用する場合はマイクロ波加熱 (microwave heating) ともいう。 分子の回転は、電気

太陽誘電

区、工場は群馬県高崎市など。日経平均株価の構成銘柄の一つ。 1950年（昭和25年）3月 - 東京都杉並区に太陽誘電株式会社を設立、磁器コンデンサ及びステアタイト磁器絶縁体の生産を開始。 1970年（昭和45年）3月 - 東京証券取引所市場第二部に株式を上場。 1973年（昭和48年） 1月 - 東京証券取引所市場第一部指定。

静電誘導

Canton）が、帯電体に金属を近づけたときに発生することを発見。 静電誘導トランジスタ(SIT, Static induction transistor) 静電誘導サイリスタ 電気盆 静電発電機 ウィムズハースト式誘導起電機 静電誘導により他の送電線や通信回線に電流が流れたり、人が刺激を受けたりする誘導障害が発生することがある。対策として静電シールドがある。

強誘電体

{C}{T-T_{\mathrm {c} }}}} なお、秩序‐無秩序型では温度が上昇してキュリー温度に近づくにつれ自発分極は連続的に減少して0となる。これは「二次相転移」と呼ばれる。また、変位型ではキュリー温度で不連続に分極量が変化するため、「一次相転移」と呼ばれる。詳しくは相転移の該当する記事を参照のこと。

間接正犯

間接正犯（かんせつせいはん）とは、他人の行為を利用して自己（しばしば背後者という）の犯罪を実現する正犯のことである。共犯ではないというのが通説である。 かつては無関係の第三者の適法行為や刑事未成年の行為を利用した犯罪のケースにおいて実行従属性や要素従属性の問題により共犯に問えないことから、処罰の間隙

正接定理

{\displaystyle a} と b {\displaystyle b} もほぼ等しいときに桁落ちの危険性があるため正接定理のほうが都合がよい。 正弦定理 余弦定理 余接定理 三角関数の公式の一覧 モルワイデの公式 ^ Marie-Thérèse Debarnot (1996). “Trigonometry”

電波ホーミング誘導

ホーミング誘導よりも長い射程で運用される傾向にある。電波（レーダー波）の放射源が、目標と発射母体、ミサイル本体のいずれにあるかに応じて、パッシブ方式とセミアクティブ方式、アクティブ方式の3種類に大別される。またホーミング

誘導発電機

同期発電機と比べて電力系統への接続時に発生する突入電流が大きいため、その対策が必要である。 電力系統から励磁電流を得ることが必要であるため、一般的に単独運転ができない。 かご形三相誘導発電機 - かご形三相誘導電動機を発電機として運転する。 巻線形三相誘導発電機 - 巻線形三相誘導電動機を発電機として運転する。

強誘電体メモリ

強誘電体メモリ（きょうゆうでんたいめもり、英: ferroelectric random access memory）とは、FeRAMとも呼ばれる、強誘電体のヒステリシス（履歴効果）に因る正負の残留分極（自発分極）をデジタルデータの1と0に対応させた不揮発性メモリ

静電誘導サイリスタ

(SITh)）とは、高周波特性を改善した電力用半導体素子である。 東北大学の西澤潤一によって開発された。 高周波で低損失でON-OFFが可能で増幅作用はない。その特性上、電動機の可変電圧可変周波数制御や周波数変換などに使用される。 トリガ電圧が低く、ターンオフが速やかで自己制御型のGTOのようなON-OFF素子で東洋電機によって

静電誘導トランジスタ

とチャネルの境界のポテンシャル形状でドレイン電流が制御できるようにした事により3極真空管型特性が得られる。高速動作・低損失で、高周波増幅器などに使用され、信号波形の忠実な増幅が可能。 静電誘導サイリスタ チョッパ制御 半導体リレー アメリカ合衆国特許第 4,199,771号 アメリカ合衆国特許第 4