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Detalhes da Palavra

窒化インジウム

窒化インジウム（ちっかインジウム、indium nitride）は、インジウムと窒素からなる化学式InNの半導体である。バンドギャップが小さく、太陽電池や高速エレクトロニクスに用いられる。InNのバンドギャップは、現在では温度に応じ〜0.7 eVであることが分かっている（かつては1.97

Palavras Relacionadas

アンチモン化インジウム

1992年にSTS-47でスペースシャトル・エンデバー号で毛利衛がSpacelab-Jミッションで行 われた微小重力下での赤外線加熱浮遊帯域溶融法実験において単結晶の作成に成功した。 ^ InSb ( Indium Antimonide) ^ テラヘルツ電磁波光源 ^ 単結晶のはなし

リン化インジウム

単結晶成長には、LEC法、VCZ法、HB法、VGF法などが用いられるが、ヒ化ガリウムに比べると結晶の熱伝導率が低いため温度制御が難しく、また、積層欠陥エネルギーも小さいため、高品質な単結晶成長の育成は難しいとされている。 安全面では、インジウム燐の化合物としての健康有害性については、必ずしも明確

ヒ化インジウム

ヒ化インジウム(Indium arsenide)は、インジウムとヒ素からなる化学式InAsの半導体である。融点942℃の灰色の立方晶を形成する。 ヒ化インジウムは、波長が1-3.8 μmの赤外線検出器の製造に用いられる。この検出器は、太陽光発電のフォトダイオードである。極低温に冷やした検出器のノイズ

酸化インジウム(III)

酸化スズ(IV)と組み合わせて、透明導電体の酸化インジウムスズ(ITO)として用いられる。 半導体においては、n型半導体として、集積回路の抵抗素子に用いられる。 組織学においては、染色に用いられる。 インジウム 酸化インジウムスズ 磁性半導体 ^ a b Marezio

水素化インジウム

1021/cr960151d. PMID 11840988.  ^ Hunt, P.; Schwerdtfeger, P. (1996). “Are the Compounds InH3 and TlH3 Stable Gas Phase or Solid State Species?”. Inorganic Chemistry

セレン化インジウム(III)

セレン化インジウム(III)(Indium(III) selenide)は、インジウムとセレンからなる化合物である。光起電力効果を用いたデバイスに利用できる可能性があり、研究が行われている。最も一般的なα相とβ相は、層状構造である。一方、γ相は「格子欠陥を含むウルツ鉱構造」である。α、β、γ、δ及び

塩化インジウム(III)

Anthony John Downs (1993). Chemistry of aluminium, gallium, indium, and thallium. Springer. ISBN 0-7514-0103-X  ^ Main Group Metals in Organic Synthesis

窒化物

潤滑剤；窒化ホウ素 切削素材；窒化ケイ素 絶縁体；窒化ホウ素、窒化ケイ素 半導体；窒化ガリウム 金属塗装；窒化チタン 水素吸蔵；窒化リチウム このように多様な物質の分類法は必然的に恣意的となる。以下は構造で分類したものである。 水素の窒化物 - アンモニア、ヒドラジン、トリアザン イオン結晶 - 窒化リチウム、窒化ベリリウム

窒化鉄

窒化鉄（ちっかてつ、英: Iron nitride）は、鉄の窒化物。化学式はFe2N、Fe3N1+x、Fe4N、Fe7N3、Fe16N2で表される。 強磁性窒化鉄は、現在最強の磁石とされるネオジム-鉄-ボロン磁石の性能を凌駕する可能性のある物質で、1972年に東北大学の高橋實がその存在を提唱していた

窒化ナトリウム

窒化ナトリウム（ちっかナトリウム、英: Sodium nitride）は、化学式Na3Nで記される無機化合物。窒化ガリウムなど他の金属窒化物とは対照的に、非常に不安定である。 低温下で、サファイアの基板上でナトリウムと窒素に原子線を照射することにより得られる。 分解により、ナトリウムと窒素が生じる。

窒化リチウム

窒化リチウム（ちっかリチウム、lithium nitride）はリチウムの窒化物である。化学式は Li3N、CAS登録番号は [26134-62-3]。式量 34.82、融点 845 ℃、比重 1.28 (20 ℃) の暗赤色六方晶。 アルカリ金属の中ではリチウムだけが単体窒素と加熱時に反応する。 6

窒化ガリウム

報告されたが、寿命が短く製品化には至らなかった。また炭化ケイ素を使用する系もあったが、実用化には至らなかった。 1986年、天野浩がサファイア基板に緩衝層を導入し、GaNの単結晶薄膜を得ることに成功した。 1989年、赤崎勇と天野はMgドーピングと電子線照射によりp型の窒化ガリウムを得て、pn接合の

窒化イットリウム

窒化イットリウム (yttrium nitride, YN) はイットリウムの窒化物であり、窒化チタンや窒化ジルコニウムと同様に硬いセラッミクスである。 ランタン、スカンジウムおよびイットリウムの窒化物は半導体である。YNの結晶構造は窒化ガリウムと似ているので、GaNの結晶成長において基質とGaN層のバッファー層としてYNが使える。

窒化タンタル

他の導電性金属の間のバリアや「糊」の層、また熱酸化物等の誘電絶縁体フィルムの製造に使われることがある。これらのフィルムは、集積回路の製造の際に、薄膜抵抗器等として、シリコンウェハーの上に沈着される。 ^ Akashi, Teruhisa (2005年). “Fabrication of a Tantalum-Nitride

窒化アルミニウム

AlN）はアルミニウムの窒化物であり、無色透明のセラミックスである。アルミナイトライドともいう。 結晶構造はウルツ鉱構造（六方晶系）と閃亜鉛鉱構造（立方晶系）の2種類を取りうるが、前者がエネルギー的に安定である。ウルツ鉱構造の格子定数は、a軸が約 3.11 Å、c軸が約 4.98 Å である。 バンドギャップは約

窒化チタン

ほとんどの用途では、5マイクロメートル（0.00020インチ）未満のコーティングが施される。 窒化チタンは、ビッカース硬度2400、弾性率251GPa、熱膨張係数9.35×10−6 K−1、超伝導転移温度5.6Kという特性をもつ。 通常の大気中で800℃で酸化する。実験室での試験によ

窒化ニオブ

窒化ニオブ（ちっかにおぶ、Niobium nitride）はニオブの窒化物である。 超伝導転移温度は16K 。 量子コンピューティングの分野で、演算部分の素子は超伝導薄膜によるジョセフソン接合を持つが、このときの薄膜材料の一つとして注目を集めている。 [脚注の使い方] ^ K. S. Keskar, T. Yamashita and

インジウム

〖indium〗 ホウ素族元素の一。 元素記号 In 原子番号四九。 原子量一一四・八。 銀白色の軟らかい金属。 半導体材料として重要。

窒化処理

窒化処理（ちっかしょり、nitridization、nitriding）とは、広義には金属に窒素を浸み込ませるプロセス全般を指し、狭義には鉄鋼材料、チタン合金への表面硬化処理を指す。 窒化には様々な用途、処理方法が存在するが、単に「窒化」と言う場合は鉄鋼やチタン合金を高温下の窒化雰囲気に暴露して、金属表面を硬化させるプロセスを指す。