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半導体メモリ

数百から数千回程度の消去と再書込みが可能 UV-EPROM : 中央に空いた窓からチップに紫外線を照射することで消去する。消去後は再書き込み可能。紫外線を照射する消去装置や書き込み装置が必要 E-EPROM : 電気的に消去と書き込みが可能なもの。過去の製品では、消去・書き込み

คำที่เกี่ยวข้อง

半導体

半導体の特徴は、固体のバンド理論によって説明される。 なお、バンド理論を用いれば、半導体とは、価電子帯を埋める電子の状態は完全に詰まっているものの、禁制帯を挟んで、伝導帯を埋める電子の状態は存在しない物質として定義される。 一般的に、抵抗は電流と電圧に関して比例的な関係を満たす、すなわちオームの法則

半導体カーブトレーサー

ブレークダウン電圧、などのパラメータ測定ができる。ダイアックのようにトリガーできる素子の場合は、順方向・逆方向のトリガー電圧が明確に表示される。トンネルダイオードのように負性抵抗を持つ素子がもつ非連続的な特性も表示される。 主掃引ターミナル出力は、数千ボルトまでの印加が可能であり、また低電圧時には

スピンギャップレス半導体

スピンギャップレス半導体（スピンギャップレスはんどうたい）は、磁性体である量子物質の一種。上下のスピンバンドが交換分裂しており、そのそれぞれの電子構造がエネルギーギャップを有している。スピンギャップレス半導体の磁気特性や磁気変調特性は電場によって操作することが可能である。代表例としてマンガン・コバル

EDA (半導体)

に代わって言語記述で設計する手法が始まった。1980年代後半には、そのHDLから論理回路（ネットリスト）を自動生成するシステムが実用化された。この技術は論理合成と呼ばれ、シノプシスにより製品化された。 それぞれのツールの性能向上が続くなかで、半導体製造工程の微細化による様々な問題を解決するためのツ

半導体レーザー

光が漏れにくい構造になっている。また、クラッド層の外部にはストライプ状の電極が備わっており、電界が加わる領域を細く限定している。ストライプ電極から5V程度の電圧が印加されることで電子がクラッド層を経由して活性層内を流れると、途中の原子は励起され自然放射によって最初の光子が放たれる。光子が周囲に放射

半導体リレー

半導体リレー（はんどうたいリレー、英: solid-state relay, 略称：SSR）は、継電器（リレー）と同じ機能を半導体によって作った電気・電子素子である。半導体リレーには、photo-coupled SSR、transformer-coupled SSR、hybrid SSR という種類がある。

アモルファス半導体

アモルファス半導体（アモルファスはんどうたい、amorphous semiconductor）とは、非晶質状態の半導体である。非晶質半導体 (non‐crystalline semiconductor) とも言う。結晶状態の半導体とは種々の物性が大きく異なるのを利用して、受光素子などへの応用が行われている。

ペロブスカイト半導体

ペロブスカイト半導体（ペロブスカイトはんどうたい）とは、ペロブスカイト構造(有機-無機複合層状ペロブスカイト化合物)を有する半導体で太陽電池や半導体レーザー等の次世代光半導体素子として期待される。 ヨウ化スズを無機骨格とし、有機カチオンと組み合わせた層状化合物は、電子構造（バンドギャップやバンド幅）

半導体産業

パッケージングを行わないようにする。また、パッケージ後の出荷前の検査としてバーンイン（Burn-in）装置があり、これは高温槽を主体とするバーンイン装置本体とその中のバーンイン基板、そしてバーンイン基板上に検査対象の半導体パッケージ

N型半導体

n型半導体（エヌがたはんどうたい）とは、電荷を運ぶキャリアとして自由電子が使われる半導体である。負の電荷を持つ自由電子がキャリアとして移動することで電流が生じる。つまり、多数キャリアが電子となる半導体である。 例えば、シリコンなど4価元素の真性半導体に、微量の5価元素(リン、ヒ素など)を不純物とし

半導体素子

半導体素子では、動作するためには少数キャリア(minority carrier)N型半導体では正孔、P型半導体では電子が必要である。 半導体素子には、トランジスタ、ダイオード（整流器）、発光ダイオード (LED) 等がある。こういった単体の半導体素子は「ディスクリート半導体」（個別半導体

P型半導体

価元素(ホウ素、アルミニウムなど)を添加することでつくられる。不純物半導体に含まれる。 p型半導体をつくる為の添加物をアクセプタといい、この添加物によって形成された準位をアクセプタ準位と呼ぶ。 正（英: positive）の電荷を持つ正孔が多数キャリアであることから、英語の頭文字をとってp型半導体と呼ばれる。

半導体工学

チョクラルスキー法 ゾーンメルト法 拡散（熱拡散）・酸化（熱酸化） 蒸着 スパッタリング スピンコート CVD（化学気相成長法） PVD（物理気相成長法） MBE（分子線エピタキシー法） エピタキシャル成長 イオン注入 フォトリソグラフィ（パターニング） エッチング FIB（focused ion beam） CMP（化学機械研磨）

有機半導体

アモルファス半導体のようにトンネル効果や局在化状態、移動度ギャップ、フォノン支援ホッピングが伝導に関わっている。無機半導体のように、有機半導体もドーピングが可能である。ドーピングしたポリアニリン (Ormecon)やPEDOT:PSSの有機半導体は、"有機金属"としても知られる。 有機半導体

縮退半導体

縮退半導体とは、高濃度の不純物（ドーパント）が添加されたことでフェルミエネルギーが伝導帯や価電子帯の中に存在する不純物半導体のこと。 非縮退半導体とは異なり、この種の半導体は、固有キャリア濃度を温度やバンドギャップと関連付ける質量作用の法則に従わない。 中程度のドーピング濃度では、ドーパント原子は個

磁性半導体

磁性半導体（じせいはんどうたい、Magnetic Semiconductor）とは、強磁性と半導体の両方の性質を合わせ持つ物質。スピントロニクス材料として用いられる。半導体の電気デバイスとしての性質を用いた電気的制御により、磁気特性をコントロールすることが可能である。

真性半導体

真性半導体（しんせいはんどうたい、英: intrinsic semiconductor）とは、添加物を混ぜていない純粋な半導体のことを指す。しかし、実際には不純物などの欠陥は固体中に必ず存在するため、欠陥の影響を無視できるような半導体を真性半導体と見なすことになる。価電子帯の電子が熱や光によって伝

不純物半導体

n、価電子帯の正孔濃度を p、イオン化したドナー濃度を ND、イオン化したアクセプター濃度を NA とすると、以下の電荷中性の条件が成り立つ。 n + N A = p + N D {\displaystyle n+N_{A}=p+N_{D}} ドーピングした不純物が全てイオン化している場合を考える。非縮退半導体の伝導帯の電子濃度

フィラデルフィア半導体指数

IT産業の先行き景況感を示す代表的指数として世界的に参照されている。 半導体が使用される産業は、パーソナルコンピュータ、スマートフォン、家庭用電気機械器具、自動車等多岐にわたることから「産業の米」とも呼ばれており、半導体需要がこれらの景気動向に大きく左右されることから、SOX指数は、景気の先行指標としても知られている。