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Détails du Mot

ヒ化ガリウム

ヒ化ガリウム（ヒかガリウム、英: gallium arsenide）はガリウムのヒ化物であり、組成式はGaAsである。化合物半導体であるため、その性質を利用して半導体素子の材料として多用されている。半導体分野ではガリウムヒ素（ガリウム砒素）や、さらにはそれを短縮したガリヒ素という呼称で呼ばれることも多い。

Mots Associés

窒化ガリウム

報告されたが、寿命が短く製品化には至らなかった。また炭化ケイ素を使用する系もあったが、実用化には至らなかった。 1986年、天野浩がサファイア基板に緩衝層を導入し、GaNの単結晶薄膜を得ることに成功した。 1989年、赤崎勇と天野はMgドーピングと電子線照射によりp型の窒化ガリウムを得て、pn接合の

リン化ガリウム

リン化ガリウムは、光学材料としても利用され、波長840 nm (IR)で 3.19、550 nm（緑）で 3.45、262 nm (UV) で4.30の屈折率を持つ。 1960年代から、低〜中輝度の赤・オレンジ・緑発光ダイオード（LED）の低コスト製造に使用されている。単体もしくはGaAsPと組み合わせて製造される。

アンチモン化ガリウム

SbのIII-V族化合物半導体である。ガリウムアンチモンとも呼ばれる。格子定数は約0.61 nmである。 金属間化合物GaSbは、1926年に不活性ガス雰囲気下で直接元素を結合させたスイスの鉱物学者ヴィクトール・モーリッツ・ゴルトシュミットによって初めて生み出され、後に改定されるが格子定数を報告され

ヒ化物

ヒ化物（ヒかぶつ、英: arsenide）は、酸化数が-3のヒ素を含む化合物である。ただし、より広義に使われる場合がある。鉱物のスペリー鉱 (PtAs2) は「ヒ化白金」とも呼ばれるが、これは通常固相で Pt4+As24- の組成であるため、ヒ素の形式酸化数は-2である。孤立したヒ素中心をもつのでヒ化ガリウム

ヒ化カドミウム

ヒ化カドミウム（ヒかカドミウム、英: cadmium arsenide）は化学式 Cd3As2 で表される無機化合物。結晶構造は正方晶系で、エネルギーギャップ 0.14 eV の狭ギャップ半導体である。室温において電子移動度が非常に大きい、n型半導体の一種であり、アモルファス半導体材料として使用さ

ヒ化インジウムガリウム

ヒ化インジウムガリウムはガリウムのヒ化物であり、組成式はInGaAsである。化合物半導体であるため、その性質を利用して半導体素子の材料として多用されている。半導体分野ではインジウム・ガリウム・ヒ素という呼称で呼ばれることも多い。 一般的な半導体材料であるシリコンよりも電子移動度が高いので高周波デバイ

ヒ化インジウム

ヒ化インジウム(Indium arsenide)は、インジウムとヒ素からなる化学式InAsの半導体である。融点942℃の灰色の立方晶を形成する。 ヒ化インジウムは、波長が1-3.8 μmの赤外線検出器の製造に用いられる。この検出器は、太陽光発電のフォトダイオードである。極低温に冷やした検出器のノイズ

ヨウ化ガリウム(III)

ヨウ化ガリウム(III)（ヨウかガリウム、gallium(III) iodide）は化学式が Ga2I6 と表される、最も一般的なガリウムのヨウ化物である。化学輸送法でヒ化ガリウムの純粋な結晶を得るときにヨウ素が輸送媒体として用いられるが、このとき可逆的に GaI3 が生じている。 ヨウ化ガリウム

酸化ガリウム(III)

(TEM)、エネルギー分散型X線分析 (EDS)などが用いられる。これらの分析結果より反応物は灰色の綿状構造であることが示された。SEMによって反応物がワイヤー状構造およびシート状構造であることを示し、TEM写真は酸化ガリウム(III)がリボン状構造であることが確認された。酸化ガリウム(III)のナノリボンおよびナノシー

塩化ガリウム(III)

塩化ガリウム(III)(Gallium trichloride)は、化学式GaCl3の化合物である。固体のGaCl3は、化学式Ga2Cl6の二量体として存在する。無色で、金属ハロゲン化物としては珍しくアルカンも含め理想的には全ての溶媒に可溶である。ガリウムを含む大部分の誘導体の前駆体や有機合成の試薬となる。

フッ化ガリウム(III)

Anthony John Downs, (1993), Chemistry of Aluminium, Gallium, Indium, and Thallium, Springer, ISBN 978-0-7514-0103-5 Barrière, A.S.; Couturier, G.; Gevers

ガリウム

〖gallium〗 ホウ素族元素の一。 元素記号 Ga　原子番号三一。 原子量六九・七二。 青白色の軟らかい固体金属。 融点は摂氏二九・七八度で水銀， セシウムに次いで低く， 高温用温度計に利用。 半導体材料として重要。

水酸化ガリウム(III)

− {\displaystyle {\ce {{Ga(OH)3}+ OH^- = [Ga(OH)4]^-}}} 水酸化アルミニウムより酸性が強い両性物質である。水酸化アンモニウムにも可溶。 加熱により水を失い、酸化ガリウム(III)となる。 2 Ga ( OH ) 3 → Δ Ga 2 O 3  

鉄ガリウム

の感度の向上をもたらすため、ガルフェノールはソナー研究者の興味を引く材料である。ガルフェノールは、振動エネルギー発電、精密工作機械向けのアクチュエータ、アクティブ防振システム、ふるいやスプレーノゾル向けの目詰まり防止装置での利用も提案されている。ガルフェノールは機械加工が可能であり、シート状やワイヤー状で生産することができる。

三フッ化ヒ素

三フッ化ヒ素（さんフッかヒそ、英: arsenic trifluoride）はヒ素のフッ化物で、化学式AsF3で表される無機化合物。無色の液体で、水と容易に反応する。半導体の製造などに使われる。 フッ化水素と三酸化二ヒ素の反応により生成される。 6 HF   + As 2 O 3 ⟶ 2 AsF 3

三塩化ヒ素

161Åの長さで、Cl-As-Clの角は98°25'±30である。三塩化ヒ素は、ν1(A1) 416、ν2(A1) 192、ν3 393、ν4(E) 152 cm-1の4つの通常振動モードを持つ。三塩化ヒ素はほぼ共有結合であり、そのため融点は低い。 三塩化ヒ素は、三酸化二ヒ素を塩化水素で処理し、その後蒸留することによって製造される。

五フッ化ヒ素

五フッ化ヒ素（ごフッかヒそ、英: arsenic pentafluoride）は化学式AsF5で表される無機化合物。ヒ素のフッ化物であり、ヒ素の酸化数は5。 ヒ素とフッ素との直接反応および三フッ化ヒ素にフッ素を加えて生成する。 2 As   + 5 F 2 ⟶ 2 AsF 5 {\displaystyle

五酸化二ヒ素

五酸化二ヒ素（ごさんかにひそ、英: diarsenic pentoxide）は、化学式 As2O5 で表されるヒ素の酸化物である。ヒ素の化合物として産業上重要である。三酸化二ヒ素などの他のヒ素化合物と同様、強い毒性を持つ。 殺虫剤、除草剤、殺菌剤、木材防腐剤、金属接着剤、印刷や染色など幅広く用いられる。。

ヒ素の生化学

は、米や綿花の耕作に用いられる防カビ剤（商品名：Neoasozin）の前駆体である。4-ヒドロキシ-3-ニトロベンゼンアルソン酸 (3-NHPAA, Roxarsone)、ウレイドフェニルアルソン酸 (ureidophenylarsonic acid)、p-アルサニル酸 (p-arsanilic acid)