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窒化ガリウム

報告されたが、寿命が短く製品化には至らなかった。また炭化ケイ素を使用する系もあったが、実用化には至らなかった。 1986年、天野浩がサファイア基板に緩衝層を導入し、GaNの単結晶薄膜を得ることに成功した。 1989年、赤崎勇と天野はMgドーピングと電子線照射によりp型の窒化ガリウムを得て、pn接合の

Mots Associés

ヒ化ガリウム

ヒ化ガリウム（ヒかガリウム、英: gallium arsenide）はガリウムのヒ化物であり、組成式はGaAsである。化合物半導体であるため、その性質を利用して半導体素子の材料として多用されている。半導体分野ではガリウムヒ素（ガリウム砒素）や、さらにはそれを短縮したガリヒ素という呼称で呼ばれることも多い。

リン化ガリウム

リン化ガリウムは、光学材料としても利用され、波長840 nm (IR)で 3.19、550 nm（緑）で 3.45、262 nm (UV) で4.30の屈折率を持つ。 1960年代から、低〜中輝度の赤・オレンジ・緑発光ダイオード（LED）の低コスト製造に使用されている。単体もしくはGaAsPと組み合わせて製造される。

アンチモン化ガリウム

SbのIII-V族化合物半導体である。ガリウムアンチモンとも呼ばれる。格子定数は約0.61 nmである。 金属間化合物GaSbは、1926年に不活性ガス雰囲気下で直接元素を結合させたスイスの鉱物学者ヴィクトール・モーリッツ・ゴルトシュミットによって初めて生み出され、後に改定されるが格子定数を報告され

ヨウ化ガリウム(III)

ヨウ化ガリウム(III)（ヨウかガリウム、gallium(III) iodide）は化学式が Ga2I6 と表される、最も一般的なガリウムのヨウ化物である。化学輸送法でヒ化ガリウムの純粋な結晶を得るときにヨウ素が輸送媒体として用いられるが、このとき可逆的に GaI3 が生じている。 ヨウ化ガリウム

酸化ガリウム(III)

(TEM)、エネルギー分散型X線分析 (EDS)などが用いられる。これらの分析結果より反応物は灰色の綿状構造であることが示された。SEMによって反応物がワイヤー状構造およびシート状構造であることを示し、TEM写真は酸化ガリウム(III)がリボン状構造であることが確認された。酸化ガリウム(III)のナノリボンおよびナノシー

塩化ガリウム(III)

塩化ガリウム(III)(Gallium trichloride)は、化学式GaCl3の化合物である。固体のGaCl3は、化学式Ga2Cl6の二量体として存在する。無色で、金属ハロゲン化物としては珍しくアルカンも含め理想的には全ての溶媒に可溶である。ガリウムを含む大部分の誘導体の前駆体や有機合成の試薬となる。

フッ化ガリウム(III)

Anthony John Downs, (1993), Chemistry of Aluminium, Gallium, Indium, and Thallium, Springer, ISBN 978-0-7514-0103-5 Barrière, A.S.; Couturier, G.; Gevers

窒化物

潤滑剤；窒化ホウ素 切削素材；窒化ケイ素 絶縁体；窒化ホウ素、窒化ケイ素 半導体；窒化ガリウム 金属塗装；窒化チタン 水素吸蔵；窒化リチウム このように多様な物質の分類法は必然的に恣意的となる。以下は構造で分類したものである。 水素の窒化物 - アンモニア、ヒドラジン、トリアザン イオン結晶 - 窒化リチウム、窒化ベリリウム

窒化鉄

窒化鉄（ちっかてつ、英: Iron nitride）は、鉄の窒化物。化学式はFe2N、Fe3N1+x、Fe4N、Fe7N3、Fe16N2で表される。 強磁性窒化鉄は、現在最強の磁石とされるネオジム-鉄-ボロン磁石の性能を凌駕する可能性のある物質で、1972年に東北大学の高橋實がその存在を提唱していた

窒化ナトリウム

窒化ナトリウム（ちっかナトリウム、英: Sodium nitride）は、化学式Na3Nで記される無機化合物。窒化ガリウムなど他の金属窒化物とは対照的に、非常に不安定である。 低温下で、サファイアの基板上でナトリウムと窒素に原子線を照射することにより得られる。 分解により、ナトリウムと窒素が生じる。

窒化リチウム

窒化リチウム（ちっかリチウム、lithium nitride）はリチウムの窒化物である。化学式は Li3N、CAS登録番号は [26134-62-3]。式量 34.82、融点 845 ℃、比重 1.28 (20 ℃) の暗赤色六方晶。 アルカリ金属の中ではリチウムだけが単体窒素と加熱時に反応する。 6

窒化イットリウム

窒化イットリウム (yttrium nitride, YN) はイットリウムの窒化物であり、窒化チタンや窒化ジルコニウムと同様に硬いセラッミクスである。 ランタン、スカンジウムおよびイットリウムの窒化物は半導体である。YNの結晶構造は窒化ガリウムと似ているので、GaNの結晶成長において基質とGaN層のバッファー層としてYNが使える。

窒化タンタル

他の導電性金属の間のバリアや「糊」の層、また熱酸化物等の誘電絶縁体フィルムの製造に使われることがある。これらのフィルムは、集積回路の製造の際に、薄膜抵抗器等として、シリコンウェハーの上に沈着される。 ^ Akashi, Teruhisa (2005年). “Fabrication of a Tantalum-Nitride

窒化アルミニウム

AlN）はアルミニウムの窒化物であり、無色透明のセラミックスである。アルミナイトライドともいう。 結晶構造はウルツ鉱構造（六方晶系）と閃亜鉛鉱構造（立方晶系）の2種類を取りうるが、前者がエネルギー的に安定である。ウルツ鉱構造の格子定数は、a軸が約 3.11 Å、c軸が約 4.98 Å である。 バンドギャップは約

窒化チタン

ほとんどの用途では、5マイクロメートル（0.00020インチ）未満のコーティングが施される。 窒化チタンは、ビッカース硬度2400、弾性率251GPa、熱膨張係数9.35×10−6 K−1、超伝導転移温度5.6Kという特性をもつ。 通常の大気中で800℃で酸化する。実験室での試験によ

窒化ニオブ

窒化ニオブ（ちっかにおぶ、Niobium nitride）はニオブの窒化物である。 超伝導転移温度は16K 。 量子コンピューティングの分野で、演算部分の素子は超伝導薄膜によるジョセフソン接合を持つが、このときの薄膜材料の一つとして注目を集めている。 [脚注の使い方] ^ K. S. Keskar, T. Yamashita and

窒化インジウム

窒化インジウム（ちっかインジウム、indium nitride）は、インジウムと窒素からなる化学式InNの半導体である。バンドギャップが小さく、太陽電池や高速エレクトロニクスに用いられる。InNのバンドギャップは、現在では温度に応じ〜0.7 eVであることが分かっている（かつては1.97

ガリウム

〖gallium〗 ホウ素族元素の一。 元素記号 Ga　原子番号三一。 原子量六九・七二。 青白色の軟らかい固体金属。 融点は摂氏二九・七八度で水銀， セシウムに次いで低く， 高温用温度計に利用。 半導体材料として重要。

水酸化ガリウム(III)

− {\displaystyle {\ce {{Ga(OH)3}+ OH^- = [Ga(OH)4]^-}}} 水酸化アルミニウムより酸性が強い両性物質である。水酸化アンモニウムにも可溶。 加熱により水を失い、酸化ガリウム(III)となる。 2 Ga ( OH ) 3 → Δ Ga 2 O 3