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窒化アルミニウム

AlN）はアルミニウムの窒化物であり、無色透明のセラミックスである。アルミナイトライドともいう。 結晶構造はウルツ鉱構造（六方晶系）と閃亜鉛鉱構造（立方晶系）の2種類を取りうるが、前者がエネルギー的に安定である。ウルツ鉱構造の格子定数は、a軸が約 3.11 Å、c軸が約 4.98 Å である。 バンドギャップは約

Mots Associés

酸化アルミニウム

アルミナは、液晶ディスプレイ用ガラスやICパッケージ、自動車プラグなどに使用される。また、誘電正接がほかの素材と比べ、極めて低いことから、一部の高周波測定機やミリ波レーダー等の基板に使用される。しかし、回路パターンの形成法などがFR-4などの一般的なものと異なるため、製作所は違うことが多い。 硫酸アルミニウムなどの塩を1

ヨウ化アルミニウム

2004, J. Wiley & Sons, New York. DOI: 10.1002/047084289. ^ “Aluminum(I) and Gallium(I) Compounds: Syntheses, Structures, and Reactions” Dohmeier, C.; Loos

臭化アルミニウム

四塩化炭素と100℃近くで反応すると四臭化炭素が生成される。 4 AlBr 3 + 3 CCl 4 ⟶ 4 AlCl 3 + 3 CBr 4 {\displaystyle {\ce {4AlBr3 + 3CCl4 -> 4AlCl3 + 3CBr4}}} ホスゲンと反応して臭化カルボニルと二塩化臭化アルミニウムを生成する。

塩化アルミニウム

ウム（ポリ塩化アルミニウム・アルミナ10%換算値）2008年度日本国内生産量は582,542t、工業消費量は9,036tである。 金属アルミニウムと塩素、または塩化水素との反応で無水塩化アルミニウムは生成される。 2 Al + 3 Cl 2 ⟶ 2 AlCl 3 {\displaystyle {\ce

リン化アルミニウム

リン化アルミニウム（燐化アルミニウム、リンかアルミニウム、英文名称 Aluminium phosphide）は、リンとアルミニウムからなり、化学式AlPで表される無機化合物。大気中の水分と反応して毒性の強いホスフィン(リン化水素)を生じるため、殺虫剤の成分として用いられる。 アルミニウムとリンを反応させることで製造できる。

アンチモン化アルミニウム

9である。 アンチモン化アルミニウムは、他のIII-V族材料と混晶を作ることができ、アンチモン化アルミニウムインジウム(AlInSb)、アンチモン化アルミニウムガリウム(AlGaSb)、アンチモン化アルミニウムヒ素(AlAsSb)等の三元混晶を形成する。 アンチモン化アルミニウムは、アンチモン化物イオ

窒化物

潤滑剤；窒化ホウ素 切削素材；窒化ケイ素 絶縁体；窒化ホウ素、窒化ケイ素 半導体；窒化ガリウム 金属塗装；窒化チタン 水素吸蔵；窒化リチウム このように多様な物質の分類法は必然的に恣意的となる。以下は構造で分類したものである。 水素の窒化物 - アンモニア、ヒドラジン、トリアザン イオン結晶 - 窒化リチウム、窒化ベリリウム

窒化鉄

窒化鉄（ちっかてつ、英: Iron nitride）は、鉄の窒化物。化学式はFe2N、Fe3N1+x、Fe4N、Fe7N3、Fe16N2で表される。 強磁性窒化鉄は、現在最強の磁石とされるネオジム-鉄-ボロン磁石の性能を凌駕する可能性のある物質で、1972年に東北大学の高橋實がその存在を提唱していた

窒化ナトリウム

窒化ナトリウム（ちっかナトリウム、英: Sodium nitride）は、化学式Na3Nで記される無機化合物。窒化ガリウムなど他の金属窒化物とは対照的に、非常に不安定である。 低温下で、サファイアの基板上でナトリウムと窒素に原子線を照射することにより得られる。 分解により、ナトリウムと窒素が生じる。

窒化リチウム

窒化リチウム（ちっかリチウム、lithium nitride）はリチウムの窒化物である。化学式は Li3N、CAS登録番号は [26134-62-3]。式量 34.82、融点 845 ℃、比重 1.28 (20 ℃) の暗赤色六方晶。 アルカリ金属の中ではリチウムだけが単体窒素と加熱時に反応する。 6

窒化ガリウム

報告されたが、寿命が短く製品化には至らなかった。また炭化ケイ素を使用する系もあったが、実用化には至らなかった。 1986年、天野浩がサファイア基板に緩衝層を導入し、GaNの単結晶薄膜を得ることに成功した。 1989年、赤崎勇と天野はMgドーピングと電子線照射によりp型の窒化ガリウムを得て、pn接合の

窒化イットリウム

窒化イットリウム (yttrium nitride, YN) はイットリウムの窒化物であり、窒化チタンや窒化ジルコニウムと同様に硬いセラッミクスである。 ランタン、スカンジウムおよびイットリウムの窒化物は半導体である。YNの結晶構造は窒化ガリウムと似ているので、GaNの結晶成長において基質とGaN層のバッファー層としてYNが使える。

窒化タンタル

他の導電性金属の間のバリアや「糊」の層、また熱酸化物等の誘電絶縁体フィルムの製造に使われることがある。これらのフィルムは、集積回路の製造の際に、薄膜抵抗器等として、シリコンウェハーの上に沈着される。 ^ Akashi, Teruhisa (2005年). “Fabrication of a Tantalum-Nitride

窒化チタン

ほとんどの用途では、5マイクロメートル（0.00020インチ）未満のコーティングが施される。 窒化チタンは、ビッカース硬度2400、弾性率251GPa、熱膨張係数9.35×10−6 K−1、超伝導転移温度5.6Kという特性をもつ。 通常の大気中で800℃で酸化する。実験室での試験によ

窒化ニオブ

窒化ニオブ（ちっかにおぶ、Niobium nitride）はニオブの窒化物である。 超伝導転移温度は16K 。 量子コンピューティングの分野で、演算部分の素子は超伝導薄膜によるジョセフソン接合を持つが、このときの薄膜材料の一つとして注目を集めている。 [脚注の使い方] ^ K. S. Keskar, T. Yamashita and

窒化インジウム

窒化インジウム（ちっかインジウム、indium nitride）は、インジウムと窒素からなる化学式InNの半導体である。バンドギャップが小さく、太陽電池や高速エレクトロニクスに用いられる。InNのバンドギャップは、現在では温度に応じ〜0.7 eVであることが分かっている（かつては1.97

水酸化アルミニウム

Al(OH)3 で表される無機化合物である。比重は約2.42。酸やアルカリに溶け、水、アルコールに不溶。アルミニウム塩の水溶液にアンモニアを加えると白色ゲル状沈殿を起こすが、これが水酸化アルミニウムである。主に医薬品や吸着剤などに使用される。また、緑色顔料・ピーコックの原料でもある。

水素化アルミニウム

室内で還元剤として有機合成に使われる以外ほとんど見られない。 アランはポリマー構造をとり、その化学式はよく(AlH3)nと表される。アランは多数の多形体をとり、それぞれα-アラン、α’-アラン、β-アラン、δ-アラン、ε-アラン、θ-アラン、およびγ-アランと名付けられている。α-アランは立方晶ま

一塩化アルミニウム

monochloride)は、化学式AlClのハロゲン化金属である。この化合物は、アルミニウム含量の多い合金からアルミニウムを精練する過程で精算される。合金を1,300℃以上に加熱した反応槽に入れ、塩化アルミニウムを混合すると、一塩化アルミニウムのガスが生産される。 2 [ Al ] ( alloy )   + AlCl 3 ( gas